噴泉中靜電殺菌滅藻、防腐蝕原理——影響菌藻的新陳代謝
2016-11-3 14:26:44??????點(diǎn)擊：
在水景噴泉中，如果水中產(chǎn)生了菌藻等異物是難免的，處理方法也是多種多樣，各種方法有利有弊，本文我們簡單談一談靜電殺菌滅藻、防腐蝕原理。
眾所周知，在噴泉水景中，利用高壓靜電場具有殺菌滅藻的作用，但很可能有不少人不知道其原理，其原理是由于水在高壓靜電場作用下，產(chǎn)生活性氧，雙氧水等，這些活性氧能破壞生物細(xì)胞的離子通道并改變菌藻生存的生物場，影響菌藻的新陳代謝，從而起到殺菌滅藻的作用。活性氧的殺菌作用與氯相比要高出600~3000倍，且無余毒影響。另外，負(fù)氧離子的生成使水中的溶解氧減少，而雙氧水的生成以及碳酸根離子，在電極放電使二氧化碳減少，而雙氧水的生成以及碳酸氫根離子，碳酸根離子在電極放電使二氧化碳減少，而作為藻類的營養(yǎng)葡萄糖是通過葉綠素吸收太陽的光能，由水和二氧化碳反應(yīng)生成。二氧化碳的降低使藻類喪失光合作用的能力。即使在陽光充足的條件下，呼吸作用亦遠(yuǎn)大于光合作用，使白天和夜間的溶解氧接近，達(dá)到滅藻效果。水中的菌群經(jīng)高壓靜電場作用，改變和影響細(xì)菌的生理代謝，如基因表達(dá)、酶活性等。靜電處理后ALT和GGT活性水平反常，導(dǎo)致氨基酸代謝上的失調(diào)，從而影響細(xì)菌生長代謝，達(dá)到殺菌的目的。影響腐蝕的因素通常是水中的溶解氧、pH、含鹽量、氯離子、三氧化二硫離子等。一般情況下溶解氧和pH是主要因素，水在靜電場作用下差生的活性氧，能促使金屬表面鈍化而達(dá)到緩蝕，同時(shí)活性氧離子的生成使溶解氧減少，而雙氧水的生成使二氧化碳減少，pH升高，削弱了腐蝕的影響程度，因此減輕了腐蝕。
在城市廣場噴泉、園林水景中使用高壓靜電場具有高效殺菌滅藻、防腐蝕作用，而且能非常有效地抑制菌藻繁衍，即使是炎熱的夏季也能有效地抑制菌藻繁衍。使池水長期保持良好水質(zhì)，是一種經(jīng)濟(jì)、情節(jié)的環(huán)保處理方法。
眾所周知，在噴泉水景中，利用高壓靜電場具有殺菌滅藻的作用，但很可能有不少人不知道其原理，其原理是由于水在高壓靜電場作用下，產(chǎn)生活性氧，雙氧水等，這些活性氧能破壞生物細(xì)胞的離子通道并改變菌藻生存的生物場，影響菌藻的新陳代謝，從而起到殺菌滅藻的作用。活性氧的殺菌作用與氯相比要高出600~3000倍，且無余毒影響。另外，負(fù)氧離子的生成使水中的溶解氧減少，而雙氧水的生成以及碳酸根離子，在電極放電使二氧化碳減少，而雙氧水的生成以及碳酸氫根離子，碳酸根離子在電極放電使二氧化碳減少，而作為藻類的營養(yǎng)葡萄糖是通過葉綠素吸收太陽的光能，由水和二氧化碳反應(yīng)生成。二氧化碳的降低使藻類喪失光合作用的能力。即使在陽光充足的條件下，呼吸作用亦遠(yuǎn)大于光合作用，使白天和夜間的溶解氧接近，達(dá)到滅藻效果。水中的菌群經(jīng)高壓靜電場作用，改變和影響細(xì)菌的生理代謝，如基因表達(dá)、酶活性等。靜電處理后ALT和GGT活性水平反常，導(dǎo)致氨基酸代謝上的失調(diào)，從而影響細(xì)菌生長代謝，達(dá)到殺菌的目的。影響腐蝕的因素通常是水中的溶解氧、pH、含鹽量、氯離子、三氧化二硫離子等。一般情況下溶解氧和pH是主要因素，水在靜電場作用下差生的活性氧，能促使金屬表面鈍化而達(dá)到緩蝕，同時(shí)活性氧離子的生成使溶解氧減少，而雙氧水的生成使二氧化碳減少，pH升高，削弱了腐蝕的影響程度，因此減輕了腐蝕。
在城市廣場噴泉、園林水景中使用高壓靜電場具有高效殺菌滅藻、防腐蝕作用，而且能非常有效地抑制菌藻繁衍，即使是炎熱的夏季也能有效地抑制菌藻繁衍。使池水長期保持良好水質(zhì)，是一種經(jīng)濟(jì)、情節(jié)的環(huán)保處理方法。
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